参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLML9303TRPBF
说明	功率MOSFET   Micro3™/SOT-23
起订量	3
最小包	3
现货	416 [库存更新时间：2024-05-02]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 10µA
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	1.25W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	160pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	165mΩ@2.3A,10V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	2.3A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	160pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	Micro3™/SOT-23