参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRLML2803TRPBF
说明	通用MOSFET   Micro3™/SOT-23
起订量	3
最小包	3
现货	416 [库存更新时间：2024-05-02]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	85pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	540mW(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	85pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	250mΩ@910mA,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	1.2A
封装/外壳	Micro3™/SOT-23
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V