参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFHS8242TRPBF
说明	功率MOSFET   6-PQFN(2x2)
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2024-05-03]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.1W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	653pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	13mΩ@8.5A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	9.9A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10.4nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	653pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	10V
封装/外壳	6-PQFN(2x2)