参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFHM9331TRPBF
说明	功率MOSFET   PQFN(3x3)
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2025-04-07]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1543pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.8W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V,20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1543pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	10mΩ@11A,20V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	11A
封装/外壳	PQFN(3x3)