参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFHM831TRPBF
说明	通用MOSFET   PG-TSDSON-8 PQFN PQFN(3x3)
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2024-06-07]
系列	HEXFET®
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	14A(Ta),40A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	16nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1050pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),27W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.8m Ohms@12A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TSDSON-8
封装/外壳	PQFN
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	14A
漏源极电压Vds	30V
封装/外壳	PQFN(3x3)