参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFTS8342TRPBF
说明	功率MOSFET   6-TSOP
起订量	3
最小包	3
现货	416 [库存更新时间：2024-05-29]
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	560pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	19mΩ@8.2A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	8.2A
漏源极电压Vds	30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.8nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	560pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	6-TSOP