产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
整流桥 |
VS-112MT80KPBF |
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二极管类型:Three Phase 封装/外壳:MT-K 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:110A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
BU1008A-M3/45 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 800V 封装/外壳:4-SIP,BU 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.1V @ 5A 正向电流If:10A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
BAS21TMR6T1G |
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整流桥 |
GBL08-M3/45 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 800V 封装/外壳:4-SIP,GBL 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 2A 正向电流If:4A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
BU1508-M3/45 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 800V 封装/外壳:4-SIP,BU 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.05V @ 7.5A 正向电流If:15A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
DB6J314K0R |
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整流桥 |
DFL1514S-E3/77 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 1400V 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.1V @ 1.5A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):1.4kV |
整流桥 |
DFL1514S-E3/45 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 1400V 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.1V @ 1.5A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):1.4kV |
整流桥 |
DB3S314F0L |
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整流桥 |
BAS21TMR6T1G |
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整流桥 |
VS-40CPQ100-N3 |
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封装/外壳:TO-247-3 反向漏电流Ir:1.25mA@100V 反向电压Vr:100V 工作温度:175°C(最大) 正向电压Vf:910mV@40A |
整流桥 |
MA4X71400L |
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整流桥 |
DF1506S |
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封装/外壳:DF-S 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:1.5A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V |
整流桥 |
DF15005S |
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封装/外壳:DF-S 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:1.5A 反向峰值电压Vrrm:50V 反向电压Vr:50V |
整流桥 |
EDF1AS-E3/45 |
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二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.05V @ 1A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 50V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:DFS |
整流桥 |
VS-GBPC3510A |
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工作温度:-55°C~150°C(TJ) 安装类型:QC 端子 封装/外壳:GBPC-A 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):1000V 电流 - 平均整流(Io):35A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 1000V |
整流桥 |
GBU6J-E3/51 |
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封装/外壳:GBU 正向浪涌电流Ifsm:175A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-55℃~150℃ |
整流桥 |
KBJ1506_B0_00001 |
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整流桥 |
MB10F-08_R2_00001 |
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封装/外壳:MBF 正向浪涌电流Ifsm:30A 正向电流If:0.8A 正向电压Vf(add V):1V 反向漏电流Ir:5mA |
整流桥 |
GBJ2506-F |
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封装/外壳:4-SIP 正向浪涌电流Ifsm:350A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:25A 正向电压Vf:1.05V 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-65℃~150℃ |
整流桥 |
DF04S-T |
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封装/外壳:DFS 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A |
整流桥 |
GBU4M-E3/51 |
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封装/外壳:GBU 正向浪涌电流Ifsm:150A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-55℃~150℃ |
整流桥 |
DA6X108K0R |
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整流桥 |
VS-90MT160KPBF |
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二极管类型:Three Phase 封装/外壳:MT-K 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:90A 电压-峰值反向(最大值):1.6kV |
整流桥 |
VS-90MT120KPBF |
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二极管类型:Three Phase 封装/外壳:MT-K 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:90A 电压-峰值反向(最大值):1.2kV |
整流桥 |
VS-160MT160KPBF |
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二极管类型:Three Phase 封装/外壳:MT-K 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:160A 电压-峰值反向(最大值):1.6kV |
整流桥 |
W10G-E4/51 |
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封装/外壳:WOG 正向浪涌电流Ifsm:50A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-55℃~150℃ |
整流桥 |
W08G-E4/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 800V 封装/外壳:4-圆形,WOG 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 1A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
W06G-E4/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 600V 封装/外壳:4-圆形,WOG 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 1A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):600V |
整流桥 |
W04G-E4/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 400V 封装/外壳:4-圆形,WOG 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 1A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):400V |
整流桥 |
W02G-E4/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 200V 封装/外壳:4-圆形,WOG 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 1A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):200V |
整流桥 |
W01G-E4/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 100V 封装/外壳:4-圆形,WOG 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 1A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):100V |
整流桥 |
W005G-E4/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 50V 封装/外壳:4-圆形,WOG 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 1A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):50V |
整流桥 |
VS-UFH60BA65 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 650V 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 工作温度:175°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:2.35V @ 60A 正向电流If:60A 电压-峰值反向(最大值):650V |
整流桥 |
VS-KBPC602PBF |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 200V 封装/外壳:4-方形,D-72 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:6A 电压-峰值反向(最大值):200V |
整流桥 |
VS-40CPQ100-N3 |
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封装/外壳:TO-247-3 反向漏电流Ir:1.25mA@100V 反向电压Vr:100V 工作温度:175°C(最大) 正向电压Vf:910mV@40A |
整流桥 |
VS-36MT80 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 800V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:35A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
VS-36MT60 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 600V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:35A 电压-峰值反向(最大值):600V |
整流桥 |
VS-36MT40 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 400V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:35A 电压-峰值反向(最大值):400V |
整流桥 |
VS-36MT20 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 200V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:35A 电压-峰值反向(最大值):200V |
整流桥 |
VS-36MT140 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 1400V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:35A 电压-峰值反向(最大值):1.4kV |
整流桥 |
VS-36MT120 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 1200V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:35A 电压-峰值反向(最大值):1.2kV |
整流桥 |
VS-36MT100 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 1000V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:35A 电压-峰值反向(最大值):1kV |
整流桥 |
VS-36MB80A |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 800V 封装/外壳:4-方形,D-34 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:35A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
VS-300MT160C |
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FET类型:三相 Vwm(V):1.6KV 正向电流If:258A 正向电压Vf:1.7V@300A 工作温度:-40°C~150°C(TJ) |
整流桥 |
VS-2KBB40R |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 400V 封装/外壳:4-SIP,2KBB 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.1V @ 1.9A 正向电流If:1.9A 电压-峰值反向(最大值):400V |
整流桥 |
VS-2KBB100 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 1000V 封装/外壳:4-SIP,2KBB 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.1V @ 1.9A 正向电流If:1.9A 电压-峰值反向(最大值):1kV |
整流桥 |
VS-26MT80 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 800V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
VS-26MT60 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 600V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):600V |
整流桥 |
VS-26MT40 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 400V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):400V |
整流桥 |
VS-26MT20 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 200V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):200V |
整流桥 |
VS-26MT160 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 1600V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):1.6kV |
整流桥 |
VS-26MT140 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 1400V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):1.4kV |
整流桥 |
VS-26MT120 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 1200V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):1.2kV |
整流桥 |
VS-26MT100 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 1000V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):1kV |
整流桥 |
VS-26MT10 |
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二极管类型:Three Phase 反向漏电流Ir:100uA @ 100V 封装/外壳:5-方形,D-63 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):100V |
整流桥 |
VS-26MB20A |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 200V 封装/外壳:4-方形,D-34 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:25A 电压-峰值反向(最大值):200V |
整流桥 |
VB30200C-E3/4W |
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封装/外壳:TO-263-3,D?Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:160?A @ 200V 二极管配置:1 对共阴极 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1V @ 15A 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C |
整流桥 |
DA3J103E0L |
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整流桥 |
DA4X101F0R |
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整流桥 |
DA6J101K0R |
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整流桥 |
BU2506-M3/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 600V 封装/外壳:4-SIP,BU 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.05V @ 12.5A 正向电流If:3.5A 电压-峰值反向(最大值):600V |
整流桥 |
VS-91MT160KPBF |
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二极管类型:Three Phase 封装/外壳:MT-K 模块 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电流If:90A 电压-峰值反向(最大值):1.6kV |
整流桥 |
BAS70-04LT1G |
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配置:1 对串联 FET类型:肖特基 反向电压Vr:70V 正向电流If:100mA(DC) 正向电压Vf:1V@15mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:10uA@70V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) |
整流桥 |
VS-KBPC808PBF |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:10uA @ 800V 封装/外壳:4-方形,D-72 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 3A 正向电流If:8A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
BU12065S-M3/45 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 600V 封装/外壳:4-ESIP,BU-5S 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.05V @ 6A 正向电流If:12A 电压-峰值反向(最大值):600V |
整流桥 |
KBP06M-M4/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 600V 封装/外壳:4-SIP,KBPM 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.1V @ 3.14A 正向电流If:1.5A 电压-峰值反向(最大值):600V |
整流桥 |
MBRB2545CTT4G |
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系列:SWITCHMODE™ 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压-DC反向(Vr)(最大值):45V 电流-平均整流(Io)(每二极管):15A 不同If时的电压-正向(Vf):820mV @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr时的电流-反向漏电流:200µA @ 45V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D2PAK-3 |
整流桥 |
MBRB20200CTT4G |
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系列:SWITCHMODE™ 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压-DC反向(Vr)(最大值):200V 电流-平均整流(Io)(每二极管):10A 不同If时的电压-正向(Vf):900mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr时的电流-反向漏电流:1mA @ 200V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:D2PAK-3 |
整流桥 |
MBR60H100CTG |
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系列:SWITCHMODE™ 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:30A 正向电压Vf:840mV@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
整流桥 |
MB4S-E3/80 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 400V 封装/外壳:TO-269AA,4-BESOP 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 400mA 正向电流If:500mA 电压-峰值反向(最大值):400V |
整流桥 |
MB2S-E3/80 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 200V 封装/外壳:TO-269AA,4-BESOP 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1V @ 400mA 正向电流If:500mA 电压-峰值反向(最大值):200V |
整流桥 |
MB10S-F1-0000 |
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封装/外壳:MBS 正向浪涌电流Ifsm:30A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:0.5A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-55℃~150℃ |
整流桥 |
DF08SA-E3/77 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 800V 封装/外壳:4-SMD,鸥翼 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.1V @ 1A 正向电流If:1A 电压-峰值反向(最大值):800V |
整流桥 |
KBU8J-E4/51 |
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封装/外壳:KBU 正向浪涌电流Ifsm:300A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-55℃~150℃ |
整流桥 |
KBP210G |
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封装/外壳:KBP 正向浪涌电流Ifsm:65A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃ |
整流桥 |
KBP208G |
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封装/外壳:KBP 正向浪涌电流Ifsm:65A 反向峰值电压Vrrm:800V 反向电压Vr:800V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃ |
整流桥 |
KBP206G |
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封装/外壳:KBP 正向浪涌电流Ifsm:65A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃ |
整流桥 |
KBP204G |
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封装/外壳:KBP 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:2A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V |
整流桥 |
KBP202G |
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封装/外壳:KBP 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:2A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:200V |
整流桥 |
KBP201G |
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封装/外壳:KBP 正向浪涌电流Ifsm:65A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃ |
整流桥 |
KBP2005G |
|
封装/外壳:KBP 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:2A 反向峰值电压Vrrm:50V 反向电压Vr:50V |
整流桥 |
KBP10G |
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封装/外壳:KBP 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:1.5A 反向峰值电压Vrrm:1kV 反向电压Vr:1kV |
整流桥 |
KBP04G |
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封装/外壳:KBP 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:1.5A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V |
整流桥 |
KBP02G |
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封装/外壳:KBP 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:1.5A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:200V |
整流桥 |
KBP01G |
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封装/外壳:KBP 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:1.5A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V |
整流桥 |
KBP005G |
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封装/外壳:KBP 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1.1V 正向电流If:1.5A 反向峰值电压Vrrm:50V 反向电压Vr:50V |
整流桥 |
KBL406-A1-0000 |
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封装/外壳:KBL 正向浪涌电流Ifsm:120A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-55℃~150℃ |
整流桥 |
KBL02-E4/51 |
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二极管类型:Single Phase 反向漏电流Ir:5uA @ 200V 封装/外壳:4-SIP,KBL 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 技术:标准 正向电压Vf:1.1V @ 4A 正向电流If:4A 电压-峰值反向(最大值):200V |
整流桥 |
KBJ610G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:6A 反向峰值电压Vrrm:1kV 反向电压Vr:1kV |
整流桥 |
KBJ608G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:6A 反向峰值电压Vrrm:800V 反向电压Vr:800V |
整流桥 |
KBJ606G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:6A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V |
整流桥 |
KBJ604G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:6A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V |
整流桥 |
KBJ601G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:6A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V |
整流桥 |
KBJ410G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:4A 反向峰值电压Vrrm:1kV 反向电压Vr:1kV |
整流桥 |
KBJ408G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:4A 反向峰值电压Vrrm:800V 反向电压Vr:800V |
整流桥 |
KBJ406G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:4A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V |
整流桥 |
KBJ404G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:4A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V |
整流桥 |
KBJ402G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:4A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:200V |
整流桥 |
KBJ401G |
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封装/外壳:KBJ 反向漏电流Ir:5uA 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 正向电压Vf:1V 正向电流If:4A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V |