IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流桥 | GBJ2504-F | Diodes(达尔（美台）) | 工作温度:-65°C~150°C(TJ) FET类型:单相 正向电压Vf:1.05V@12.5A 反向漏电流Ir:10µA @ 400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:25A |
| 整流桥 | DF10M-E3/45 | Vishay(威世) | FET类型:单相 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 正向电流If:1A 反向漏电流Ir:5uA 正向电压Vf:1.1V 宽度:6.5mm 反向电压Vr:1KV 正向浪涌电流Ifsm:50A 长度:8.51mm 高度:3.3mm |
| 整流桥 | HD02-T | Diodes(达尔（美台）) | 系列:HD FET类型:单相 正向电压Vf:1V@400mA 反向漏电流Ir:5µA @ 200V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 反向电压Vr:200V 正向电流If:0.8A |
| 整流桥 | BAV199LT1G | ON(安森美) | 二极管配置:1 对串联 二极管类型:标准 Voltage-DCReverse(Vr)(Max):70V 电流-平均整流（Io）（每二极管）:215mA(DC) 不同If时的电压-正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:3µs 不同 Vr时的电流-反向漏电流:5nA @ 70V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 70V 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA |
| 整流桥 | BAT54A-TP | MCC | 封装/外壳:SOT-23 不同Vr时电流-反向泄漏:2?A @ 25V 反向电压Vr:30V 反向恢复时间trr:5ns 正向电压Vf:1V @ 100mA 工作温度-结:-55°C ~ 125°C |
| 整流桥 | GBJ2504-F | Diodes(达尔（美台）) | 工作温度:-65°C~150°C(TJ) FET类型:单相 正向电压Vf:1.05V@12.5A 反向漏电流Ir:10µA @ 400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:25A |