IRF9392TRPBF

· 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
IRF9392TRPBF
类别
功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 25µA
工作温度-55°C~150°C(TJ)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)14nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1270pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds25V
连续漏极电流Id9.8A
Rds On(Max)@Id,Vgs17.5mΩ
最小栅阈值电压1.3V
引脚数目8
类别功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)2.5W
典型接通延迟时间15 ns
典型关断延迟时间73 ns
系列HEXFET
长度5mm
宽度4mm
每片芯片元件数目1 Ohms
正向跨导36S
正向二极管电压1.2V
高度1.50mm

功率MOSFET   5mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。