型号参数与资料
- 型号
- IRF2807ZSPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 75V |
| 连续漏极电流Id | 75A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3270pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 170W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.4 毫欧 @ 53A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 89 A |
| 漏源极电压Vds | 75 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9 m0hms |
| 栅极电压Vgs | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 长度 | 10.67mm |
| 高度 | 4.83mm |
| 系列 | HEXFET |
| 宽度 | 9.65mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 漏源极电压Vds | 3270 pF@ 25 V |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns |
| 封装/外壳 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
通用MOSFET D2PAK D2PAK D2PAK(TO-263) 10.67mm 10.67x9.65x4.83mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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