参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP60R600P7XKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3 PG-TO220-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	1
现货	146 [库存更新时间：2024-06-06]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	30W(Tc)
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	363pF @ 400V
Rds On(Max)@Id,Vgs	600 mOhm @ 1.7A, 10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 80µA
漏源极电压Vds	650V
Rds On(Max)@Id,Vgs	600 毫欧 @ 1.7A,10V
封装/外壳	PG-TO220-3