参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPI084N06L3GXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO262-3-1 PG-TO262-3
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 34µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	29nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4900pF @ 30V
Pd-功率耗散(Max)	79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.4 毫欧 @ 50A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO262-3-1
封装/外壳	PG-TO262-3