参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD50R650CEATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 TO-252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	6.1A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	342pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	650 毫欧 @ 1.8A,13V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3