参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPS65R400CEAKMA1
说明	通用MOSFET   IPAK(TO-251) 6.73mm 6.73x2.4x6.22mm PG-TO251-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	639 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	15.1 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	400 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	IPAK (TO-251)
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	118W
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	2.4mm
典型接通延迟时间	10 ns
典型关断延迟时间	57 ns
漏源极电压Vds	710 pF @ 100 V
栅极电压Vgs	10 V 时,39 常闭
系列	CoolMOS CE
最低工作温度	-55 °C
长度	6.73mm
高度	6.22mm
正向二极管电压	0.9V
封装/外壳	6.73 x 2.4 x 6.22mm
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	PG-TO251-3