参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPS65R1K0CEAKMA1
说明	通用MOSFET   TO-251 PG-TO251-3 IPAK(TO-251) 6.73mm 6.73x2.4x6.22mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	639 [库存更新时间：2025-04-15]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	4.3A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15.3nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	328pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	37W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1Ω@1.5A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-251
封装/外壳	PG-TO251-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	7.2 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1 0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	IPAK (TO-251)
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	68W
典型接通延迟时间	6.6 ns
典型关断延迟时间	41 ns
漏源极电压Vds	328 pF @ 100 V
系列	CoolMOS CE
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	2.4mm
长度	6.73mm
高度	6.22mm
正向二极管电压	0.9V
封装/外壳	6.73 x 2.4 x 6.22mm
最高工作温度	+150 °C