参数	值
产品	未分类
型号编码	IPU60R950C6BKMA1
说明	未分类   PG-TO251-3 TO-251-3短引线 IPAK(TO-251) 6.73x2.41x6.22mm 6.73mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	640 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	4.4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	1.5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	280pF @ 100V
功率	37W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	950 毫欧 @ 1.5A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO251-3
封装/外壳	TO-251-3 短引线
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	4.4 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	950 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	IPAK (TO-251)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	37W
高度	6.22mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.73 x 2.41 x 6.22mm
宽度	2.41mm
系列	CoolMOS C6
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	280 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	60 ns
典型接通延迟时间	10 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	6.73mm