参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD50R2K0CEBTMA1
说明	通用MOSFET   DPAK(TO-252) 6.73x6.22x2.41mm 6.73mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	2.4A
漏源极电压Vds	550 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2 0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	22.3W
高度	2.41mm
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.41mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
系列	CoolMOS CE
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	124 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	6 ns
宽度	6.22mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	6.73mm