参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RZR040P01TL
说明	功率MOSFET   TSMT
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2026-01-17]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2350pF @ 6V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TSMT
连续漏极电流Id	4A
Pd-功率耗散(Max)	1W
Qg-栅极电荷	30nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	30mΩ
漏源极电压Vds	12V
栅极电压Vgs	300mV
上升时间	70ns
下降时间	210ns
典型关闭延迟时间	380ns
典型接通延迟时间	11ns
系列	RZR040P01
通道数量	1Channel
配置	Single
FET类型	P-Channel