参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD25N06S4L30ATMA2
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 PG-TO252-3-11
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2024-06-04]
系列	汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
湿气敏感性等级（MSL）	1(无限)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	16.3nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1220pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	29W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	30 毫欧 @ 25A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	25A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 8µA
封装/外壳	PG-TO252-3-11