参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPG20N06S2L50ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 TDSON PG-TDSON-8-4
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2024-05-22]
系列	OptiMOS™
FET类型	2N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs	50m Ohms@15A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 19µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	560pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	51W
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	TDSON
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	20A
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	20A
封装/外壳	PG-TDSON-8-4