参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPG20N04S4L11ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-4 TDSON 5.15mm 5.15x6.15x1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2024-06-03]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	20A
Rds On(Max)@Id,Vgs	11.6 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 15µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1990pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	41W
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	PG-TDSON-8-4
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	15.5 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-16 V、+16 V
封装/外壳	TDSON
引脚数目	8
晶体管配置	隔离式
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	41W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
每片芯片元件数目	2
长度	5.15mm
高度	1mm
系列	OptiMOS T2
宽度	6.15mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1530 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	25 ns
典型接通延迟时间	5 ns
封装/外壳	5.15 x 6.15 x 1mm