参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFS31N20DTRLP
说明	功率MOSFET   D2PAK
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	800
最小包	800
现货	1892 [库存更新时间：2024-10-22]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	107nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2370pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	3.1W(Ta),200W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	107nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2370pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	82mΩ@18A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	31A
封装/外壳	D2PAK