参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFSL4227PBF
说明	通用MOSFET   TO-262 TO262 I2PAK(TO-262) 10.67mm 10.67x4.83x9.65mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2024-05-10]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	62A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	98nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4600pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	330W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	26 毫欧 @ 46A,10V
工作温度	-40°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-262
封装/外壳	TO262
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	62 A
漏源极电压Vds	200 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	26 m0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	330W
长度	10.67mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.67 x 4.83 x 9.65mm
宽度	4.83mm
系列	HEXFET
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	4600 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	33 ns
最低工作温度	-40 °C
高度	9.65mm
最高工作温度	+175 °C