参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRFHM8363TRPBF |
说明 | 功率MOSFET 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 4000 |
最小包 | 4000 |
现货 | 8291 [库存更新时间:2025-04-16] |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 11A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.9mΩ@10A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1165pF @ 10V |
Pd-功率耗散(Max) | 2.7W |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |