参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB031NE7N3GATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-3 D2PAK PG-TO263-3-2
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	194 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	100A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.8V @ 155µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	117nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	8130pF @ 37.5V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	214W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.1m Ohms@100A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	75V
连续漏极电流Id	100A
漏源极电压Vds	75V
封装/外壳	PG-TO263-3-2
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	37.5V