参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSC750N10NDGATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 TDSON PG-TDSON-8双
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	190 [库存更新时间：2025-04-09]
系列	OptiMOS™
FET类型	2N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs	75m Ohms@13A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 12µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	720pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max)	26W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	TDSON
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	3.2A
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	3.2A
封装/外壳	PG-TDSON-8 双