参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB065N15N3GATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-7 D2PAK PG-TO263-7
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	194 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	130A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	8V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 270µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	93nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	7300pF @ 75V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.5m Ohms@100A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-7
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	150V
连续漏极电流Id	130A
漏源极电压Vds	150V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	93nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7300pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	75V
封装/外壳	PG-TO263-7