参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB65R660CFDATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-3 D2PAK D²PAK(TO-263AB)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	194 [库存更新时间：2025-11-21]
系列	CoolMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 200µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	615pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	62.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	660m Ohms@2.1A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	6A
漏源极电压Vds	650V
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V