型号参数与资料
- 型号
- IPB65R660CFDATMA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | CoolMOS™ |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 200µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 615pF @ 100V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 62.5W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 660m Ohms@2.1A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO263-3 |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 6A |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 封装/外壳 | D²PAK(TO-263AB) |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 100V |
通用MOSFET PG-TO263-3 D2PAK D²PAK(TO-263AB)
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