参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPA65R600E6XKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3 TO-220FP PG-TO-220-FP
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	180 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	CoolMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	7.3A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 210µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	28W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	600m Ohms@2.1A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
封装/外壳	TO-220FP
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	7.3A
漏源极电压Vds	650V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
封装/外壳	PG-TO-220-FP