参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	HGTP5N120BND
说明	通用MOSFET   TO-220AB
品牌	Fairchild(仙童)
起订量	0
最小包	0
现货	195 [库存更新时间：2025-04-06]
IGBT类型	NPT
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）	21A
脉冲电流-集电极(Icm)	40A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.7V @ 15V,5A
Pd-功率耗散(Max)	167W
开关能量	450µJ(开),390µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	22ns/160ns
测试条件	960V,5A,25 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	65ns
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220AB