参数	值
产品	未分类
型号编码	FDC642P_F085
说明	未分类   SOT-23 3x1.7x1mm 3mm
品牌	Fairchild Semiconductor
起订量	0
最小包	0
现货	534 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	4 A
漏源极电压Vds	20 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	105 m0hms
最小栅阈值电压	0.4V
栅极电压Vgs	-8 V、+8 V
封装/外壳	SOT-23
晶体管配置	单
引脚数目	6
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1.2W
高度	1mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	3 x 1.7 x 1mm
宽度	1.7mm
系列	PowerTrench
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	630 pF @ -10 V
典型关断延迟时间	23.2 ns
典型接通延迟时间	7.3 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	3mm