参数	值
产品	未分类
型号编码	FDB8445_F085
说明	未分类   D2PAK(TO-263) 10.67x9.65x4.83mm 10.67mm
品牌	Fairchild Semiconductor
现货	534 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	70 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.0172 0hms
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	92 W
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
封装/外壳	10.67 x 9.65 x 4.83mm
系列	PowerTrench
长度	10.67mm
晶体管材料	Si
高度	4.83mm
漏源极电压Vds	2860 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	36 ns
典型接通延迟时间	10 ns
宽度	9.65mm
最高工作温度	+175 °C