参数	值
产品	未分类
型号编码	FDP8870_F085
说明	未分类   TO-220AB 10.67mm 10.67x4.7x16.3mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	538 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	156 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.5 m0hms
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220AB
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	160W
典型接通延迟时间	11 ns
典型关断延迟时间	70 ns
漏源极电压Vds	5200 pF @ 15 V
晶体管材料	Si
系列	PowerTrench
宽度	4.7mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	10.67mm
高度	16.3mm
封装/外壳	10.67 x 4.7 x 16.3mm
每片芯片元件数目	1 Ohms