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    未分类 USB1T11AMTCX Fairchild Semiconductor 收发器数目:1 Ohms 数据速率:12Mbps 协议支持:USB 1.1 电源类型:单 ESD保护:是 典型单电源电压:3.3 V 封装/外壳:TSSOP 引脚数目:14 封装/外壳:5 x 4.4 x 0.9mm 高度:0.90mm 长度:5mm 最高工作温度:+85 °C 宽度:4.4mm 最低工作温度:-40 °C
    未分类 TIP147TTU Fairchild Semiconductor FET类型:P-Channel 最大连续集电极电流:-10 A 最大集电极-发射极电压:100 V 最大发射极-基极电压:-5 V 封装/外壳:TO-220 引脚数目:3 晶体管配置:单 每片芯片元件数目:2 最小直流电流增益:500 最大基极-发射极饱和电压:-3.5 V 最大集电极-基极电压:-100 V 最大集电极-发射极饱和电压:-2 V 最大集电极-基极截止电流:-1mA 宽度:4.83mm 最高工作温度:+150 °C 长度:10.67mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 功率:80W
    未分类 TIP122TU Fairchild Semiconductor FET类型:NPN 最大连续集电极电流:8 A 最大集电极-发射极电压:100 V 最大发射极-基极电压:5 V 封装/外壳:TO-220 引脚数目:3 晶体管配置:单 每片芯片元件数目:2 最小直流电流增益:1000 最大集电极-发射极饱和电压:4 V 最大集电极-基极截止电流:0.5mA 功率:65W 最高工作温度:+150 °C 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 高度:16.51mm
    未分类 TIP121TU Fairchild Semiconductor FET类型:NPN 最大连续集电极电流:8 A 最大集电极-发射极电压:80 V 最大发射极-基极电压:5 V 封装/外壳:TO-220 引脚数目:3 晶体管配置:单 每片芯片元件数目:2 最小直流电流增益:1000 最大集电极-发射极饱和电压:4 V 最大集电极-基极截止电流:0.5mA 功率:65W 最高工作温度:+150 °C 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 高度:16.51mm
    未分类 TIP102TU Fairchild Semiconductor FET类型:NPN 最大连续集电极电流:15 A 最大集电极-发射极电压:100 V 最大发射极-基极电压:5 V 封装/外壳:TO-220 引脚数目:3 晶体管配置:单 每片芯片元件数目:2 最小直流电流增益:200 最大集电极-发射极饱和电压:2.5 V 最大集电极-基极截止电流:50µA 功率:80W 宽度:4.83mm 最高工作温度:+150 °C 长度:10.67mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 高度:16.51mm
    未分类 SMCJ7V5CA Fairchild Semiconductor 方向类型:双向 二极管配置:单路 最大钳位电压:12.9V 最小击穿电压:8.33V 封装/外壳:DO-214AB (SMC) 最大反向待机电压:7.5V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:1500W 最大峰值脉冲电流:116.3A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 测试电流:1mA 宽度:6.25mm 长度:7.15mm 高度:2.75mm 封装/外壳:7.15 x 6.25 x 2.75mm 最大反向漏电流:100µA
    TVS二极管 SMCJ51CA Fairchild Semiconductor 封装/外壳:DO-214AB (SMC) 封装/外壳:7.15 x 6.25 x 2.75mm
    未分类 SMBJ9V0A Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 方向类型:单向 最大钳位电压:15.4V 最小击穿电压:10V 封装/外壳:DO-214AA (SMB) 最大反向待机电压:9V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:39A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 测试电流:1mA 封装/外壳:4.05 x 3.95 x 2.45mm 长度:4.05mm 宽度:3.95mm 最大反向漏电流:10µA 高度:2.45mm
    未分类 SMBJ58A Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 方向类型:单向 最大钳位电压:93.6V 最小击穿电压:64.4V 封装/外壳:DO-214AA (SMB) 最大反向待机电压:58V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:6.4A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 高度:2.45mm 封装/外壳:4.75 x 3.95 x 2.45mm 测试电流:1mA 宽度:3.95mm 最大反向漏电流:5µA 长度:4.75mm
    未分类 SMBJ15A Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 方向类型:单向 最大钳位电压:24.4V 最小击穿电压:16.7V 封装/外壳:DO-214AA (SMB) 最大反向待机电压:15V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:24.6A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 测试电流:1mA 封装/外壳:4.75 x 3.95 x 2.15mm 长度:4.75mm 宽度:3.95mm 最大反向漏电流:5µA 高度:2.15mm
    未分类 SMBJ12CA Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 方向类型:双向 最大钳位电压:19.9V 最小击穿电压:13.3V 封装/外壳:DO-214AA (SMB) 最大反向待机电压:12V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:30.2A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 测试电流:1mA 封装/外壳:4.75 x 3.95 x 2.45mm 长度:4.75mm 宽度:3.95mm 最大反向漏电流:5µA 高度:2.45mm
    未分类 PZT2222A Fairchild Semiconductor FET类型:NPN 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:SOT-223 功率:1W 最小直流电流增益:100 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:75 V 最大发射极-基极电压:6 V 最大工作频率:100 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:1 V 最大基极-发射极饱和电压:2 V 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.7mm 高度:1.7mm
    未分类 QSB363ZR Fairchild Semiconductor 检测频谱:红外 典型下降时间:15µs 通道数目:1 Ohms 最大暗电流:100nA 半感光角度:12 ° 针数目:2 安装类型:表面安装 封装/外壳:超微型 封装/外壳:2.7 x 2.2 x 3mm 集电极电流:1.5mA 检测到的最大波长:940nm 长度:2.7mm 频谱范围内的灵敏度:940 nm 高度:3mm 宽度:2.2mm
    未分类 QSB363GR Fairchild Semiconductor 检测频谱:红外 典型下降时间:15µs 通道数目:1 Ohms 最大暗电流:100nA 半感光角度:12 ° 针数目:2 安装类型:表面安装 封装/外壳:超微型 封装/外壳:2.7 x 2.2 x 3mm 集电极电流:1.5mA 检测到的最大波长:940nm 长度:2.7mm 频谱范围内的灵敏度:940 nm 高度:3mm 宽度:2.2mm
    未分类 QEB373GR Fairchild Semiconductor 峰值波长:875nm 封装/外壳:超微型 辐射强度:16mW/sr 安装类型:表面安装 半强度角:24° LED 数目:1 Ohms 针数目:2 封装/外壳:2.7 x 2.2 x 1.4mm 透镜形状:圆顶
    未分类 QEB363GR Fairchild Semiconductor 峰值波长:940nm 封装/外壳:超微型 辐射强度:8mW/sr 安装类型:表面安装 半强度角:24° LED 数目:1 Ohms 针数目:2 封装/外壳:2.7 x 2.2 x 3mm 透镜形状:圆顶 LED 材料:GaAs
    未分类 PF5102 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel Idss 漏-源切断电流:4 → 20mA 栅极电压Vgs:-40 V 最大漏门电压:40V 配置:单 封装/外壳:TO-92 引脚数目:3 封装/外壳:5.2 x 4.19 x 5.33mm 宽度:4.19mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C 高度:5.33mm 长度:5.2mm
    未分类 PN2907ATA Fairchild Semiconductor FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:800mA 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:TO-92 功率:5/8W 最小直流电流增益:50 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:5 V 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:1.6 V 最大基极-发射极饱和电压:2.6 V 长度:5.2mm 宽度:4.19mm 封装/外壳:5.2 x 4.19 x 5.33mm 高度:5.33mm
    未分类 PN200A Fairchild Semiconductor FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:500 mA 最大集电极-发射极电压:45 V 封装/外壳:TO-92 功率:5/8W 最小直流电流增益:300 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-60 V 最大发射极-基极电压:-6 V 最大工作频率:1 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.4 V 最高工作温度:+150 °C 最大基极-发射极饱和电压:-1 V 长度:5.2mm 宽度:4.19mm 封装/外壳:5.2 x 4.19 x 5.33mm 高度:5.33mm
    未分类 P6KE6V8CA Fairchild Semiconductor 方向类型:双向 二极管配置:单路 最大钳位电压:10.5V 最小击穿电压:6.45V 封装/外壳:DO-15 最大反向待机电压:5.8V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:57.1A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+175 °C 最大反向漏电流:1mA 高度:7.6mm 测试电流:10mA 直径:3.6mm 封装/外壳:3.6 (Dia.) x 7.6mm
    未分类 P6KE6V8A Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 最大钳位电压:10.5V 最小击穿电压:6.45V 封装/外壳:DO-15 最大反向待机电压:5.8V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:57.1A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+175 °C 最大反向漏电流:1mA 高度:7.6mm 测试电流:10mA 直径:3.6mm 封装/外壳:3.6 (Dia.) x 7.6mm
    未分类 P6KE24CA Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 方向类型:双向 最大钳位电压:33.2V 最小击穿电压:22.8V 封装/外壳:DO-15 最大反向待机电压:20.5V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:18.1A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-65 °C 最高工作温度:+175 °C 测试电流:1mA 封装/外壳:7.62 x 3.56 x 3.56mm 长度:7.62mm 宽度:3.56mm 最大反向漏电流:5µA
    TVS二极管 P6KE18CA Fairchild Semiconductor 封装/外壳:DO-15 封装/外壳:3.6 (Dia.) x 7.6mm
    未分类 P6KE15A Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 方向类型:单向 最大钳位电压:21.2V 最小击穿电压:14.3V 封装/外壳:DO-15 最大反向待机电压:12.8V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:28A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-65 °C 最高工作温度:+175 °C 测试电流:1mA 封装/外壳:7.62 x 3.56 x 3.56mm 长度:7.62mm 宽度:3.56mm 最大反向漏电流:5µA
    TVS二极管 P6KE12CA Fairchild Semiconductor 封装/外壳:DO-15 封装/外壳:7.62 x 3.56 x 3.56mm
    未分类 P6KE10A Fairchild Semiconductor 方向类型:单向 二极管配置:单路 最大钳位电压:14.5V 最小击穿电压:9.5V 封装/外壳:DO-15 最大反向待机电压:8.5V 引脚数目:2 峰值脉冲功率耗散:600W 最大峰值脉冲电流:41A 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-65 °C 最高工作温度:+175 °C 长度:7.62mm 测试电流:1mA 宽度:3.56mm 封装/外壳:7.62 x 3.56 x 3.56mm 最大反向漏电流:10µA
    未分类 NDT3055 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4 A 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:180 m0hms 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SOT-223 引脚数目:3+Tab 晶体管配置:单 FET类型:增强 功率:3W 最高工作温度:+150 °C 宽度:3.7mm 最低工作温度:-65 °C 长度:6.7mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 正向跨导:6S 高度:1.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.7mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:250 pF @ 30 V 典型关断延迟时间:37 ns 典型接通延迟时间:10 ns 正向二极管电压:1.2V
    未分类 NDS7002A Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:280 mA 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:2 0hms 最小栅阈值电压:1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SOT-23 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:小信号 功率:3/10W 长度:2.92mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 高度:0.93mm 宽度:1.3mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:20 pF@ 25 V 最低工作温度:-65 °C 最高工作温度:+150 °C 封装/外壳:2.92 x 1.3 x 0.93mm
    未分类 NDS351AN Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.2 A 漏源极电压Vds:30 V Rds On(Max)@Id,Vgs:160 m0hms 最小栅阈值电压:0.8V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SOT-23 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:1/2W 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:2.92 x 1.4 x 0.94mm 最低工作温度:-55 °C 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:145 pF @ 15 V 典型关断延迟时间:16 ns 典型接通延迟时间:3 ns 宽度:1.4mm 高度:0.94mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.92mm
    未分类 NDS0610 Fairchild Semiconductor FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:120 mA 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:10 0hms 最小栅阈值电压:1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SOT-23 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:0.36W 高度:0.93mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:2.92 x 1.3 x 0.93mm 最高工作温度:+150 °C 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:79 pF@ 25 V 典型关断延迟时间:10 ns 典型接通延迟时间:2.5 ns 最低工作温度:-55 °C 长度:2.92mm 宽度:1.3mm
    未分类 NC7WZ16P6X Fairchild Semiconductor
    未分类 NC7SZ32P5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:OR 元件数目:1 Ohms 每逻辑门 的输入端数量:2 施密特触发器输入:否 封装/外壳:SC-70 引脚数目:5 逻辑系列:TinyLogic UHS 输入类型:CMOS 最大工作电源电压:5.5 V 最大高电平输出电流:-32mA 最长传播延迟时间@最长CL:5.5ns 最小工作电源电压:1.65 V 最大低电平输出电流:32mA 最高工作温度:+85 °C 高度:1mm 传输延迟测试条件:50pF 封装/外壳:2 x 1.25 x 1mm 宽度:1.25mm 最低工作温度:-40 °C 长度:2.00mm
    未分类 NC7SZ32M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:OR 元件数目:1 Ohms 每逻辑门 的输入端数量:2 施密特触发器输入:否 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:TinyLogic UHS 输入类型:CMOS 最大工作电源电压:5.5 V 最大高电平输出电流:-32mA 最长传播延迟时间@最长CL:5.5ns 最小工作电源电压:1.65 V 最大低电平输出电流:32mA 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 最低工作温度:-40 °C 宽度:1.7mm 高度:1.3mm 传输延迟测试条件:50pF 长度:3mm 最高工作温度:+85 °C
    未分类 NC7SZ14P5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:逆变器 输入类型:施密特触发器 每片芯片元件数目:1 Ohms 施密特触发器输入:是 最长传播延迟时间@最长CL:5.9 ns @ 5 V, 7.2 ns @ 3.3 V 最大高电平输出电流:-32mA 最大低电平输出电流:32mA 封装/外壳:SC-70 引脚数目:5 逻辑系列:LVCMOS 封装/外壳:2 x 1.25 x 1mm 传输延迟测试条件:50pF 最小工作电源电压:1.65 V 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:5.5 V 长度:2.00mm 宽度:1.25mm 高度:1mm
    未分类 NC7SZ14M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:逆变器 输入类型:施密特触发器 每片芯片元件数目:1 Ohms 施密特触发器输入:是 最长传播延迟时间@最长CL:5.9 ns @ 5 V, 7.2 ns @ 3.3 V 最大高电平输出电流:-32mA 最大低电平输出电流:32mA 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:LVCMOS 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 宽度:1.7mm 传输延迟测试条件:50pF 最小工作电源电压:1.65 V 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:5.5 V 长度:3mm 最低工作温度:-40 °C 高度:1.3mm
    未分类 NC7SZ125M5X Fairchild Semiconductor 逻辑系列:TinyLogic UHS 逻辑功能:缓冲器,线路驱动器 每片芯片通道数目:1 Ohms 输入类型:单端 输出类型:三态 极性:非反相 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 最大高电平输出电流:-32mA 最大低电平输出电流:32mA 最长传播延迟时间@最长CL:5.7 ns @ 3.3 V 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 高度:1.3mm 最小工作电源电压:1.65 V 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:5.5 V 长度:3mm 宽度:1.7mm 传输延迟测试条件:50pF 最低工作温度:-40 °C
    未分类 NC7SZ08P5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:AND 元件数目:1 Ohms 每逻辑门 的输入端数量:2 施密特触发器输入:否 封装/外壳:SC-70 引脚数目:5 逻辑系列:TinyLogic UHS 最大工作电源电压:5.5 V 最大高电平输出电流:-32mA 最长传播延迟时间@最长CL:4.5 ns @ 5 V, 5.2 ns @ 3.3 V 最小工作电源电压:1.65 V 最大低电平输出电流:32mA 宽度:1.25mm 最低工作温度:-40 °C 长度:2.00mm 高度:1mm 传输延迟测试条件:50pF 封装/外壳:2 x 1.25 x 1mm 最高工作温度:+85 °C
    未分类 NC7SZ08M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:AND 元件数目:1 Ohms 每逻辑门 的输入端数量:2 施密特触发器输入:否 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:TinyLogic UHS 最大工作电源电压:5.5 V 最大高电平输出电流:-32mA 最长传播延迟时间@最长CL:4.5 ns @ 5 V, 5.2 ns @ 3.3 V 最小工作电源电压:1.65 V 最大低电平输出电流:32mA 宽度:1.7mm 传输延迟测试条件:50pF 最高工作温度:+85 °C 长度:3mm 最低工作温度:-40 °C 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 高度:1.3mm
    未分类 NC7SZ04M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:逆变器 每片芯片元件数目:1 Ohms 施密特触发器输入:否 最长传播延迟时间@最长CL:5 ns @ 3.3 V 最大高电平输出电流:-32mA 最大低电平输出电流:32mA 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:LVCMOS 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 高度:1.3mm 最低工作温度:-40 °C 宽度:1.7mm 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:5.5 V 传输延迟测试条件:50pF 长度:3mm 最小工作电源电压:1.65 V
    未分类 NC7SZ02P5 Fairchild Semiconductor 逻辑功能:NOR 元件数目:1 Ohms 每逻辑门 的输入端数量:2 施密特触发器输入:否 封装/外壳:SC-70 引脚数目:5 逻辑系列:TinyLogic UHS 最大工作电源电压:5.5 V 最大高电平输出电流:-32mA 最长传播延迟时间@最长CL:4.3 ns @ 5 V, 5 ns @ 3.3 V 最小工作电源电压:1.65 V 最大低电平输出电流:32mA 最高工作温度:+85 °C 高度:1mm 传输延迟测试条件:50pF 封装/外壳:2 x 1.25 x 1mm 宽度:1.25mm 最低工作温度:-40 °C 长度:2.00mm
    未分类 NC7S32M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:OR 元件数目:1 Ohms 每逻辑门 的输入端数量:2 施密特触发器输入:否 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:TinyLogic HS 最大工作电源电压:6 V 最大高电平输出电流:-2.6mA 最长传播延迟时间@最长CL:100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, 27 ns @ 3 V 最小工作电源电压:2 V 最大低电平输出电流:2.6mA 最高工作温度:+85 °C 高度:1.3mm 传输延迟测试条件:50pF 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 宽度:1.7mm 最低工作温度:-40 °C 长度:3mm
    未分类 NC7S14M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:逆变器 输入类型:施密特触发器 每片芯片元件数目:1 Ohms 施密特触发器输入:是 最长传播延迟时间@最长CL:100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, 27 ns @ 3 V 最大高电平输出电流:-2.6mA 最大低电平输出电流:2.6mA 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:LVCMOS 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 宽度:1.7mm 传输延迟测试条件:50pF 最小工作电源电压:2 V 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:6 V 长度:3mm 最低工作温度:-40 °C 高度:1.3mm
    未分类 NC7S08M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:AND 元件数目:1 Ohms 每逻辑门 的输入端数量:2 施密特触发器输入:否 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:TinyLogic HS 最大工作电源电压:6 V 最大高电平输出电流:-2.6mA 最长传播延迟时间@最长CL:100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, 27 ns @ 3 V 最小工作电源电压:2 V 最大低电平输出电流:2.6mA 最高工作温度:+85 °C 高度:1.3mm 传输延迟测试条件:50pF 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 宽度:1.7mm 最低工作温度:-40 °C 长度:3mm
    未分类 NC7S04M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:逆变器 每片芯片元件数目:1 Ohms 施密特触发器输入:否 最长传播延迟时间@最长CL:100 ns @ 2 V 最大高电平输出电流:-2.6mA 最大低电平输出电流:2.6mA 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:LVCMOS 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 高度:1.3mm 最低工作温度:-40 °C 宽度:1.7mm 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:6 V 传输延迟测试条件:50pF 长度:3mm 最小工作电源电压:2 V
    未分类 NC7S00M5X Fairchild Semiconductor 逻辑功能:NAND 元件数目:1 Ohms 每逻辑门 的输入端数量:2 施密特触发器输入:否 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 逻辑系列:TinyLogic HS 最大工作电源电压:6 V 最大高电平输出电流:-2.6mA 最长传播延迟时间@最长CL:100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, 27 ns @ 3 V 最小工作电源电压:2 V 最大低电平输出电流:2.6mA 封装/外壳:3 x 1.7 x 1.3mm 最低工作温度:-40 °C 宽度:1.7mm 高度:1.3mm 传输延迟测试条件:50pF 最高工作温度:+85 °C 长度:3mm
    未分类 NC7NZ17K8X Fairchild Semiconductor 逻辑系列:TinyLogic UHC 逻辑功能:缓冲器 通道数目:3 施密特触发器输入:是 输入类型:施密特触发器 输出类型:CMOS 极性:非反相 封装/外壳:JEDEC MO-187 引脚数目:8 最大高电平输出电流:-32mA 最大低电平输出电流:32mA 最长传播延迟时间@最长CL:13.1 ns @ 15 pF 封装/外壳:2 x 2.3 x 0.8mm 宽度:2.3mm 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:5.5 V 最低工作温度:-40 °C 高度:0.80mm 传输延迟测试条件:15pF 最小工作电源电压:1.65 V 长度:2.00mm
    未分类 MOC3083SR2M Fairchild Semiconductor 安装类型:表面安装 输出设备:可控硅 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 最大输入电流:60 mA 隔离电压:7.5 KVrms
    未分类 MOC3063TVM Fairchild Semiconductor 安装类型:通孔安装 输出设备:可控硅 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 最大输入电流:60 mA 隔离电压:7.5 KVrms
    未分类 MOC3052SM Fairchild Semiconductor 安装类型:表面安装 输出设备:可控硅 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:MDIP 输入电流类型:直流 最大输入电流:60 mA 隔离电压:7.5 KVrms
    未分类 MOC3022M Fairchild Semiconductor 安装类型:通孔安装 输出设备:可控硅 最大正向电压:1.15V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:PDIP 最大输入电流:60 mA 隔离电压:5.3 KVrms
    未分类 MMSD4148 Fairchild Semiconductor 最大正向电流:200mA 二极管配置:单路 每片芯片元件数目:1 Ohms 最大反向电压:100V 封装/外壳:SOD-123 2L 二极管技术:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:1V 最高工作温度:+150 °C 长度:2.85mm 宽度:1.8mm 高度:1.18mm 封装/外壳:2.85 x 1.8 x 1.18mm 功率:2/5W
    未分类 MM74HC595MTCX Fairchild Semiconductor 封装/外壳:TSSOP 逻辑功能:移位寄存器 阶段数目:8 逻辑系列:74HC 工作模式:串行至并行 元件数目:1 Ohms 引脚数目:16 最小工作电源电压:2 V 最大工作电源电压:6 V 封装/外壳:5 x 4.4 x 0.9mm 长度:5mm 宽度:4.4mm 触发类型:上升沿 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 高度:0.90mm
    未分类 MBR735 Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 最大连续正向电流:7.5A 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:35V 封装/外壳:TO-220AC 二极管技术:肖特基 引脚数目:2 最大正向电压降:840mV 长度:10.67mm 宽度:4.83mm 高度:16.51mm 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 16.51mm 峰值反向电流:15mA 最低工作温度:-65 °C 最高工作温度:+150 °C 峰值非重复正向浪涌电流:150A
    未分类 MBR1045 Fairchild Semiconductor 最大连续正向电流:10A 二极管配置:单路 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:45V 封装/外壳:TO-220AC 二极管技术:肖特基 引脚数目:2 最大正向电压降:720mV 长度:10.36mm 宽度:4.67mm 高度:15.22mm 峰值非重复正向浪涌电流:150A 最低工作温度:-65 °C 最高工作温度:+150 °C 封装/外壳:10.36 x 4.67 x 15.22mm 峰值反向电流:15mA
    未分类 MBR0520L Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 最大连续正向电流:500mA 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:20V 封装/外壳:SOD-123 二极管技术:肖特基 引脚数目:2 最大正向电压降:385mV 长度:2.7mm 宽度:1.60mm 高度:1.03mm 封装/外壳:2.7 x 1.6 x 1.03mm 峰值反向电流:8mA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-65 °C 峰值非重复正向浪涌电流:5.5A
    未分类 LM555CN Fairchild Semiconductor 计时器类型:复位 封装/外壳:PDIP 内部计时器数目:1 Ohms 引脚数目:8 最小工作电源电压:4.5 V 最大工作电源电压:16 V 最低工作温度:0 °C 最高工作温度:+70 °C 最大低电平输出电流:50mA 最大高电平输出电流:200mA 长度:10.15mm 高度:3.15mm 封装/外壳:10.15 x 6.35 x 3.15mm 宽度:6.35mm
    未分类 LM324MX Fairchild Semiconductor 封装/外壳:SOP 电源类型:双,单 每片芯片通道数目:4 引脚数目:14 典型单电源电压:3 → 32 V 典型双电源电压:±1.5 → 16V 最大工作频率:20 kHz 最高工作温度:+70 °C 最低工作温度:0 °C 典型电压增益:100 dB 失调电压:9mV 最大输入电压:32 V 轨对轨:无 输出电流:20 mA 最小输入电压:-0.3 V 长度:8.76mm 输入电压范围:-0.3 → 32 V 输入偏置电流:150nA 宽度:4.2mm 封装/外壳:8.76 x 4.2 x 1.65mm 高度:1.65mm
    未分类 LM319MX Fairchild Semiconductor 比较器类型:高速 封装/外壳:SOP 电源类型:双,单 输出类型:开路集电极 每片芯片通道数目:2 典型响应时间:0.08µs 引脚数目:14 典型单电源电压:5 V 封装/外壳:8.76 x 4.2 x 1.65mm 长度:8.76mm 宽度:4.2mm 高度:1.65mm 最高工作温度:+70 °C 典型双电源电压:±15V 典型电压增益:40 V/mV 最低工作温度:0 °C
    未分类 KSC2690AYSTU Fairchild Semiconductor FET类型:NPN 最大直流集电极电流:1.2 A 最大集电极-发射极电压:160 V 封装/外壳:TO-126 功率:20W 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:5 V 最大工作频率:1 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最大基极-发射极饱和电压:1.3 V 最高工作温度:+150 °C 高度:11mm 封装/外壳:8 x 3.25 x 11mm 最大集电极-发射极饱和电压:0.7 V 宽度:3.25mm 长度:8mm
    未分类 IRF530A Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:14 A 漏源极电压Vds:100 V Rds On(Max)@Id,Vgs:110 m0hms 栅极电压Vgs:4V 最小栅阈值电压:2V 封装/外壳:TO-220AB 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:55W 高度:9.4mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:10.1 x 4.7 x 9.4mm 最高工作温度:+175 °C 晶体管材料:Si 栅极电压Vgs:10 V 时,27 常闭 漏源极电压Vds:610 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:55 ns 典型接通延迟时间:13 ns 最低工作温度:-55 °C 长度:10.1mm 宽度:4.7mm
    未分类 HGTG40N60B3 Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:70 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:4.82mm 高度:20.82mm 封装/外壳:15.87 x 4.82 x 20.82mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 HGTG40N60A4 Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:75 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:4.82mm 高度:20.82mm 封装/外壳:15.87 x 4.82 x 20.82mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:63 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:4.82mm 高度:20.82mm 封装/外壳:15.87 x 4.82 x 20.82mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C
    未分类 H11G2M Fairchild Semiconductor 安装类型:通孔安装 输出设备:光电晶体管 最大正向电压:1.5V 通道数目:1 Ohms 针数目:6 封装/外壳:DIP 输入电流类型:直流 最大输入电流:60 mA 隔离电压:7.5 KVrms 逻辑输出:是 最大电流传输比:1000%
    未分类 FGL60N100BNTDTU Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:60 A 最大集电极-发射极电压:1000 V 栅极电压Vgs:±25V 封装/外壳:TO-264 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:20mm 宽度:5mm 高度:26mm 封装/外壳:20 x 5 x 26mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FGL60N100BNTD Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:60 A 最大集电极-发射极电压:1000 V 栅极电压Vgs:±25V 封装/外壳:TO-264 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:20mm 宽度:5mm 高度:26mm 封装/外壳:20 x 5 x 26mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FGH75N60UFTU Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:150 A 最大集电极-发射极电压:600 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:452 W 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.6mm 宽度:4.7mm 高度:20.6mm 封装/外壳:15.6 x 4.7 x 20.6mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FSUSB45UMX Fairchild Semiconductor 开关接通电阻值:0.650hms 封装/外壳:UMLP 引脚数目:10 封装/外壳:1.8 x 1.4 x 0.5mm 长度:1.8mm 宽度:1.4mm 高度:0.50mm 最大输入电压:4.3 V 最高工作温度:+85 °C 最小输出电流:50mA 最小输入电压:3 V 最低工作温度:-40 °C
    未分类 FSUSB31K8X Fairchild Semiconductor 配置:双单刀单掷 封装/外壳:US 开关类型:模拟 引脚数目:8 电源类型:单 输入信号类型:单端 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 每片芯片通道数目:2 最高数据速率:480Mbit/s 长度:2.00mm 高度:0.7mm 封装/外壳:2 x 2.3 x 0.7mm 宽度:2.3mm
    未分类 FSFR1700USL Fairchild Semiconductor 电源开关类型:电源开关 开关接通电阻值:1.250hms 输出数目:1 Ohms 电压:-0.3→25(Low)V 功率:200W 封装/外壳:SIP 引脚数目:9 封装/外壳:26.2 x 10.7 x 3.4mm 长度:26.2mm 宽度:10.7mm 高度:3.4mm 最高工作温度:+130 °C 最低工作温度:-40 °C
    未分类 FSDM0565REWDTU Fairchild Semiconductor 开关接通电阻值:1.760hms 输出数目:1 Ohms 封装/外壳:TO-220F 引脚数目:6 封装/外壳:10.36 x 4.8 x 9.19mm 长度:10.36mm 宽度:4.8mm 高度:9.19mm 最高工作温度:+85 °C 最低工作温度:-25 °C
    未分类 FSBB20CH60 Fairchild Semiconductor 电动机类型:交流感应 输出配置:3 相 最大IGBT集电极电流:20A 最大集电极-发射极电压:600 V 封装/外壳:PDIP 最大工作电源电压:450 V 引脚数目:27 最大隔离额定值:2500Vrms 系列:Motion SPM 3 Series 最低工作温度:-20 °C 最高工作温度:+125 °C 长度:44.2mm 宽度:27mm 封装/外壳:44.2 x 27 x 5.7mm 高度:5.7mm
    未分类 FSAM20SH60A Fairchild Semiconductor 封装/外壳:SPM32 AA 引脚数目:32 封装/外壳:60 x 31 x 7.2mm 长度:60mm 宽度:31mm 高度:7.2mm 最高工作温度:+125 °C 最低工作温度:-20 °C 工作温度:-20 → +125 °C 输出电流范围:5 mA
    未分类 FSA880UMX Fairchild Semiconductor 开关类型:高侧 封装/外壳:UMLP 引脚数目:16 封装/外壳:1.8 x 2.6 x 0.5mm 长度:1.8mm 宽度:2.6mm 高度:0.50mm 最大输入电压:4.4 V 最高工作温度:+85 °C 最低工作温度:-40 °C 最小输入电压:3 V
    未分类 FSA8049UCX Fairchild Semiconductor 阵列配置:3 x 3 阵列数目:1 Ohms 类别:音频 电源类型:单 封装/外壳:WLCSP 引脚数目:9 典型单电源电压:2.5 → 4.4 V 封装/外壳:1.16 x 1.16 x 0.378mm 高度:0.378mm 长度:1.16mm 最高工作温度:+85 °C 阵列输入数目:3 最低工作温度:-40 °C
    未分类 FSA3030UMX Fairchild Semiconductor 配置:单双刀三掷 封装/外壳:UMLP 典型单电源电压:2.5 → 4.5 V 开关类型:音频 引脚数目:12 电源类型:单 输入信号类型:差分 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 每片芯片通道数目:1 Ohms 每个元件输出数目:3 每个元件输入数目:2 多路复用器结构:2:3 最高数据速率:4Gbps 长度:1.8mm 高度:0.475mm 封装/外壳:1.8 x 1.8 x 0.475mm
    未分类 FSA2269L10X Fairchild Semiconductor 配置:双单刀双掷 封装/外壳:MicroPak 典型单电源电压:1.65 → 4.5 V 开关类型:模拟 引脚数目:10 电源类型:单 输入信号类型:差分 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+85 °C 每片芯片通道数目:2 宽度:1.60mm 长度:2.1mm 高度:0.50mm 封装/外壳:2.1 x 1.6 x 0.5mm 每个元件输出数目:4
    未分类 FGH40T65SHDF_F155 Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:80 A 最大集电极-发射极电压:650 V 栅极电压Vgs:±20V 功率:268W 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:4.82mm 高度:20.82mm 封装/外壳:15.87 x 4.82 x 20.82mm 最高工作温度:+175 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FGH40T120SMD_F155 Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:80 A 最大集电极-发射极电压:1200 V 栅极电压Vgs:±25V 功率:555 W 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 引脚数目:3 晶体管配置:单 长度:15.87mm 宽度:4.82mm 高度:20.82mm 封装/外壳:15.87 x 4.82 x 20.82mm 最高工作温度:+175 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FGA50N100BNTD2 Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:50 A 最大集电极-发射极电压:1000 V 栅极电压Vgs:±25V 功率:156W 封装/外壳:TO-3P FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:15.8mm 宽度:5mm 高度:20.1mm 封装/外壳:15.8 x 5 x 20.1mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FGA25S125P Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流:50 A 最大集电极-发射极电压:1250 V 栅极电压Vgs:±25V 功率:250W 封装/外壳:TO-3PN FET类型:N-Channel 引脚数目:3 开关速度:1MHz 晶体管配置:单 长度:15.8mm 宽度:5mm 高度:20.1mm 封装/外壳:15.8 x 5 x 20.1mm 最高工作温度:+175 °C 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FDS8449_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.6 A 漏源极电压Vds:40 V Rds On(Max)@Id,Vgs:43 m0hms 最小栅阈值电压:1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SOIC 晶体管配置:单 引脚数目:8 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:2.5W 高度:1.575mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:4.9 x 3.9 x 1.575mm 宽度:3.9mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:760 pF @ 20 V 典型关断延迟时间:23 ns 典型接通延迟时间:9 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:4.9mm
    未分类 FDS6574A Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:16 A 漏源极电压Vds:20 V Rds On(Max)@Id,Vgs:6 m0hms 最小栅阈值电压:0.4V 栅极电压Vgs:-8 V、+8 V 封装/外壳:SOIC 晶体管配置:单 引脚数目:8 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:2.5W 高度:1.50mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:5 x 4 x 1.5mm 宽度:4mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:7657 pF @ 10 V 典型关断延迟时间:173 ns 典型接通延迟时间:19.5 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C 长度:5mm
    未分类 FDP038AN06A0 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:17 A 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:4 m0hms 最小栅阈值电压:2V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-220AB 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:310000 mW 高度:9.65mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:10.67 x 4.83 x 9.65mm 宽度:4.83mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:6400 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:34 ns 典型接通延迟时间:17 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C 长度:10.67mm
    未分类 FDN5632N_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.7 A 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:135 m0hms 栅极电压Vgs:3V 最小栅阈值电压:1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SOT-23 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:1.1W 长度:2.92mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:2.92 x 1.4 x 0.94mm 宽度:1.4mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:475 pF @ 15 V 典型关断延迟时间:5.2 ns 典型接通延迟时间:15 ns 最低工作温度:-55 °C 高度:0.94mm 最高工作温度:+150 °C
    未分类 FDN342P Fairchild Semiconductor
    未分类 FDMS86105 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:6 A 漏源极电压Vds:100 V Rds On(Max)@Id,Vgs:57 m0hms 最小栅阈值电压:2V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:Power 56 引脚数目:8 晶体管配置:单 FET类型:增强 功率:48 W 典型接通延迟时间:6.7 ns 典型关断延迟时间:12 ns 漏源极电压Vds:483 pF@ 50 V 晶体管材料:Si 系列:PowerTrench 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:6mm 最高工作温度:+150 °C 长度:5mm 高度:1.05mm 封装/外壳:5 x 6 x 1.05mm 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FDMA1032CZ Fairchild Semiconductor FET类型:N,P 连续漏极电流Id:3.1 A,3.7 A 漏源极电压Vds:20 V Rds On(Max)@Id,Vgs:68 m0hms,95 m0hms 最小栅阈值电压:0.6V 栅极电压Vgs:-12 V、+12 V 封装/外壳:MLP 晶体管配置:隔离式 引脚数目:6 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:1400 mW 典型接通延迟时间:8 ns, 13 ns 典型关断延迟时间:14 ns, 37 ns 漏源极电压Vds:340 pF@ 10 V, 540 pF@ 10 V 晶体管材料:Si 系列:PowerTrench 宽度:2mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 高度:0.75mm 封装/外壳:2 x 2 x 0.75mm 每片芯片元件数目:2
    未分类 FDH300ATR Fairchild Semiconductor 二极管配置:单路 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:SOD-80 二极管技术:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:1V 最高工作温度:+175 °C 长度:3.3mm 封装/外壳:1.5 (Dia.) x 3.3mm 直径:1.5mm
    未分类 FDD8447L_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:50A 漏源极电压Vds:40 V Rds On(Max)@Id,Vgs:14 m0hms 最小栅阈值电压:1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:65W 长度:6.73mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 宽度:6.22mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1970 pF @ 20 V 典型关断延迟时间:38 ns 典型接通延迟时间:12 ns 最低工作温度:-55 °C 高度:2.39mm 最高工作温度:+175 °C
    未分类 FDD8444_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:145 A 漏源极电压Vds:40 V Rds On(Max)@Id,Vgs:9.4 m0hms 最小栅阈值电压:2V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:153 W 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:6195 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:48 ns 典型接通延迟时间:12 ns 宽度:6.22mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 高度:2.39mm 长度:6.73mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C
    未分类 FDD5810_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:37 A 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:53 m0hms 栅极电压Vgs:2V 最小栅阈值电压:1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 功率:72W 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1420 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:26 ns 典型接通延迟时间:12 ns 系列:PowerTrench 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 宽度:6.22mm 最高工作温度:+175 °C 长度:6.73mm 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm
    未分类 FDD4243_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:14 A 漏源极电压Vds:40 V Rds On(Max)@Id,Vgs:70 m0hms 最小栅阈值电压:1.4V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:50W 最高工作温度:+175 °C 长度:6.73mm 高度:2.39mm 系列:PowerTrench 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 晶体管材料:Si 最低工作温度:-55 °C 漏源极电压Vds:1165 pF @ -20 V 典型关断延迟时间:22 ns 典型接通延迟时间:6 ns 宽度:6.22mm 每片芯片元件数目:1 Ohms
    未分类 FDD3682 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:32 A 漏源极电压Vds:100 V Rds On(Max)@Id,Vgs:90 m0hms 最小栅阈值电压:2V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:95 W 宽度:6.22mm 典型接通延迟时间:9 ns 典型关断延迟时间:24 ns 漏源极电压Vds:1250 pF@ 25 V 晶体管材料:Si 系列:PowerTrench 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+175 °C 长度:6.73mm 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 最低工作温度:-55 °C
    未分类 FDD2572_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:29 A 漏源极电压Vds:150 V Rds On(Max)@Id,Vgs:146 m0hms 最小栅阈值电压:2V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:135 W 典型接通延迟时间:11 ns 典型关断延迟时间:31 ns 漏源极电压Vds:1770 pF @ 25 V 晶体管材料:Si 系列:PowerTrench 宽度:6.22mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C 长度:6.73mm 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 每片芯片元件数目:1 Ohms
    未分类 FDD2572 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:29 A 漏源极电压Vds:150 V Rds On(Max)@Id,Vgs:146 m0hms 最小栅阈值电压:2V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:135 W 高度:2.39mm 系列:PowerTrench 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1770 pF@ 25 V 典型关断延迟时间:31 ns 典型接通延迟时间:11 ns 宽度:6.22mm 最低工作温度:-55 °C 长度:6.73mm 最高工作温度:+175 °C 每片芯片元件数目:1 Ohms
    未分类 FDD120AN15A0_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:14 A 漏源极电压Vds:150 V Rds On(Max)@Id,Vgs:300 m0hms 最小栅阈值电压:2V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:65W 高度:2.39mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 宽度:6.22mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:743 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:34 ns 典型接通延迟时间:14 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C 长度:6.73mm
    未分类 FDD10AN06A0 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:50A 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:23 m0hms 最小栅阈值电压:2V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:135 W 高度:2.39mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.39mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1840 pF@ 25 V 典型关断延迟时间:32 ns 典型接通延迟时间:8 ns 宽度:6.22mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C 长度:6.73mm
    未分类 FDC642P_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:4 A 漏源极电压Vds:20 V Rds On(Max)@Id,Vgs:105 m0hms 最小栅阈值电压:0.4V 栅极电压Vgs:-8 V、+8 V 封装/外壳:SOT-23 晶体管配置:单 引脚数目:6 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:1.2W 高度:1mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 宽度:1.7mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:630 pF @ -10 V 典型关断延迟时间:23.2 ns 典型接通延迟时间:7.3 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:3mm
    未分类 FDC5661N_F085 Fairchild Semiconductor FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4 A 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:86 m0hms 栅极电压Vgs:3V 最小栅阈值电压:1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:6 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET 功率:1.6W 高度:1mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 宽度:1.7mm 系列:PowerTrench 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:763 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:19.3 ns 典型接通延迟时间:7.2 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:3mm

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