参数	值
产品	未分类
型号编码	FDP038AN06A0
说明	未分类   TO-220AB 10.67x4.83x9.65mm 10.67mm
品牌	Fairchild Semiconductor
起订量	0
最小包	0
现货	534 [库存更新时间：2025-04-17]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	17 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4 m0hms
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220AB
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	310000 mW
高度	9.65mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.67 x 4.83 x 9.65mm
宽度	4.83mm
系列	PowerTrench
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	6400 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	34 ns
典型接通延迟时间	17 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	10.67mm