参数	值
产品	未分类
型号编码	FDP032N08B_F102
说明	未分类   TO-220 10.36x4.672x15.215mm 10.36mm
品牌	ON(安森美)
现货	538 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	211 A
漏源极电压Vds	80 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.3 m0hms
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	263 W
高度	15.215mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.36 x 4.672 x 15.215mm
宽度	4.672mm
系列	PowerTrench
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	8245 pF @ 40 V
典型关断延迟时间	71 ns
典型接通延迟时间	38 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	10.36mm