参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF530A
说明	未分类   TO-220AB 10.1x4.7x9.4mm 10.1mm
品牌	Fairchild Semiconductor
起订量	0
最小包	0
现货	655 [库存更新时间：2026-01-09]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	14 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	110 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
封装/外壳	TO-220AB
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	55W
高度	9.4mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.1 x 4.7 x 9.4mm
最高工作温度	+175 °C
晶体管材料	Si
栅极电压Vgs	10 V 时,27 常闭
漏源极电压Vds	610 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	55 ns
典型接通延迟时间	13 ns
最低工作温度	-55 °C
长度	10.1mm
宽度	4.7mm