参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF520PBF
说明	未分类   TO-220AB 10.52mm 10.52x4.7x15.85mm
品牌	Vishay Siliconix
起订量	0
最小包	0
现货	658 [库存更新时间：2024-06-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	9.2 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	270 m0hms
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220AB
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	60W
宽度	4.7mm
长度	10.52mm
最低工作温度	-55 °C
高度	15.85mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.52 x 4.7 x 15.85mm
最高工作温度	+175 °C
正向二极管电压	1.8V
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	360 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	19 ns
典型接通延迟时间	8.8 ns
正向跨导	2.7S