参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	DMN61D8LVTQ-7
说明	通用MOSFET   SOT-23-6,TSOT-23-6 TSOT-26
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	1
最小包	3000
现货	13892 [库存更新时间：2025-04-18]
FET类型	2N-Channel
连续漏极电流Id	630mA
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.8Ω@150mA,5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.74nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	12.9pF @ 12V
Pd-功率耗散(Max)	820mW
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-6,TSOT-23-6
封装/外壳	TSOT-26
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	0.63A