参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | DMN6068LK3-13 |
说明 | 功率MOSFET DPAK |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 195 [库存更新时间:2025-04-02] |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.3nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 502pF @ 30V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | DPAK |
连续漏极电流Id | 8.5A |
Pd-功率耗散(Max) | 8.49W |
Qg-栅极电荷 | 10.3nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 68mΩ |
漏源极电压Vds | 60V |
栅极电压Vgs | 1V |
上升时间 | 10.8ns |
下降时间 | 8.7ns |
典型关闭延迟时间 | 11.9ns |
典型接通延迟时间 | 3.6ns |
正向跨导 - 最小值 | 19.7S |
系列 | DMN6068 |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |