参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMN3110LCP3-7
说明	功率MOSFET   3-XFDFN
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6309 [库存更新时间：2025-04-04]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	1.52nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	150pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	3-XFDFN
连续漏极电流Id	3.2A
Pd-功率耗散(Max)	1.38W
Qg-栅极电荷	1.09nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	52mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	650mV
上升时间	2.8ns
下降时间	9.5ns
典型关闭延迟时间	16.5ns
典型接通延迟时间	4.8ns
正向跨导 - 最小值	3.3S
通道数量	1Channel
配置	Single
FET类型	N-Channel