| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | DMN2009LSS-13 |
| 说明 | 功率MOSFET SOP 4.6mm |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5309 [库存更新时间：2025-04-03] |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 58.3nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2555pF @ 10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOP |
| 连续漏极电流Id | 12A |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 栅极电压Vgs | 12V |
| 宽度 | 4.25mm |
| 系列 | DMN2009 |
| 通道数量 | 1Channel |
| 配置 | SingleQuadDrainTripleSource |
| 长度 | 4.6mm |
| 高度 | 0.56mm |
| FET类型 | N-Channel |
IC普拉斯 元器件现货
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