参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMG9N65CTI
说明	功率MOSFET   ITO-220AB
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	196 [库存更新时间：2024-06-06]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	39nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2310pF @ 25V
栅极电压Vgs	±30V
Pd-功率耗散(Max)	13W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.3Ω@4.5A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	ITO-220AB
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	9A