参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BUZ30AH3045AATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-3 PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31mm 10.31x9.45x4.57mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	1
现货	383 [库存更新时间：2024-04-22]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	21A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1900pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Pd-功率耗散(Max)	125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	130 毫欧 @ 13.5A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3
封装/外壳	PG-TO263-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	21 A
漏源极电压Vds	200 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	130 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	125W
长度	10.31mm
高度	4.57mm
封装/外壳	10.31 x 9.45 x 4.57mm
最低工作温度	-55 °C
系列	SIPMOS
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1400 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	250 ns
典型接通延迟时间	30 ns
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+150 °C
宽度	9.45mm