参数	值
产品	未分类
型号编码	BUZ11_NR4941
说明	未分类   TO-220AB 10.67mm 10.67x4.83x16.51mm
品牌	ON(安森美)
起订量	50
最小包	50
现货	481 [库存更新时间：2025-04-20]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	30 A
漏源极电压Vds	50 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	40 m0hms
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220AB
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	75W
高度	16.51mm
漏源极电压Vds	1500 pF@ 25 V
宽度	4.83mm
典型接通延迟时间	30 ns
典型关断延迟时间	180 ns
晶体管材料	Si
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+150 °C
长度	10.67mm
封装/外壳	10.67 x 4.83 x 16.51mm
最低工作温度	-55 °C