参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSS126H6327XTSA2
说明	通用MOSFET   PG-SOT23-3 SOT-23 PG-SOT23-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	176 [库存更新时间：2025-04-07]
系列	SIPMOS®
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	21mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	0V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.6V @ 8µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.1nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	28pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
FET类型	耗尽模式
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	500 Ohms@16mA,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT23-3
封装/外壳	SOT-23
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	0.021A
漏源极电压Vds	600V
封装/外壳	PG-SOT23-3