参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSP89H6327XTSA1
说明	功率MOSFET   TO-261-4,TO-261AA
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	1
现货	383 [库存更新时间：2025-04-04]
25°C时电流-连续漏极(Id)	350mA(Ta)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	6 欧姆 @ 350mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	1.8V @ 108uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	140pF @ 25V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	6.4nC @ 10V
功率耗散(最大值)	1.8W(Ta)
封装/外壳	TO-261-4,TO-261AA
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	240V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	4.5V,10V