参数 | 值 |
---|---|
产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AO4813 |
说明 | 功率MOSFET SO-8 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6376 [库存更新时间:2025-04-03] |
封装/外壳 | SO-8 |
FET类型 | P-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | -30V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | -7.1A |
Pd-功率耗散(Max) | 2W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 25mΩ@10V |
Rds On(Max)@4.5V | 40mΩ |
VGS(th) | -2.5 |
Ciss(pF) | 1040 |
Coss(pF) | 180 |
Crss(pF) | 125 |
Qg*(nC) | 9.6 |
Qgd(nC) | 4.6 |
Td(on)(ns) | 10 |
Td(off)(ns) | 26 |
Trr(ns) | 11.5 |
Qrr(nC) | 25 |