参数	值
产品	未分类
型号编码	AO4821
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC SO8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：2026-09-07]
FET类型	2 个 P 沟道(双)
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	9A
Rds On(Max)@Id,Vgs	19 毫欧 @ 9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	850mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2100pF @ 6V
功率	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	8-SOIC
安装	SMD
封装/外壳	SO8
开启状态电阻	30m Ohms
FET类型	P-MOSFET x2
极化	单极
栅极-源极电压	±8V
漏极-源极电压	-12V
漏极电流	-7A
耗电	1.28W