参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AO4806
说明	功率MOSFET   SO-8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：2025-04-09]
封装/外壳	SO-8
FET类型	N-Channel
ESD Diode	Yes
Schottky Diode	No
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	12V
连续漏极电流Id	9.4A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Rds On(Max)@Id,Vgs	14mΩ@10V
Rds On(Max)@4.5V	16mΩ
Rds On(Max)@2.5V	22mΩ
Rds On(Max)@1.8V	30mΩ
VGS(th)	1 Ohms
Ciss(pF)	1810
Coss(pF)	232
Crss(pF)	200
Qg*(nC)	17.9
Qgd(nC)	4.7
Td(on)(ns)	3.3
Td(off)(ns)	44
Trr(ns)	22 Ohms
Qrr(nC)	8.6