参数	值
产品	未分类
型号编码	AO4852
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC SO8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：2025-04-22]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	90 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	450pF @ 30V
功率	1.4W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	8-SOIC
安装	SMD
封装/外壳	SO8
开启状态电阻	90m Ohms
FET类型	N-MOSFET x2
极化	单极
栅极-源极电压	±20V
漏极-源极电压	60V
漏极电流	2.4A
耗电	0.9W